Počet záznamů: 1  

Light emitting wide band gap a-Si:H deposited by microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition

  1. 1.
    0132920 - FZU-D 20000177 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Luterová, Kateřina - Fojtík, Petr - Poruba, Aleš - Dian, J. - Valenta, J. - Stuchlíková, Hana - Štěpánek, J. - Kočka, Jan - Pelant, Ivan
    Light emitting wide band gap a-Si:H deposited by microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition.
    Journal of Non-Crystalline Solids. 266-269, - (2000), s. 583-587. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA AV ČR IAB1112901; GA ČR GA202/98/0669
    Grant ostatní: NATO grant(XX) HTECH.LG972051
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.269, rok: 2000

    Hydrogenated amorphous silicon is isnvestigated from the point of wiew of light emitting applications. Room temperature photoluminescence and mainly electroluminescence of p+-i-n+(p+-p-n-n+) structures were studied.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030912

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.