Počet záznamů: 1  

Strained In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As/GaAs multiple quantum wells grown by MOVPE

  1. 1.
    0132883 - FZU-D 20000138 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
    Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
    Strained InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells grown by MOVPE.
    Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 805-812. ISSN 0011-4626
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.328, rok: 1999

    Luminescence properties of strained InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells of different thickness and In content, prepared by metal organic vapour phase epitaxy were studied.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000594

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.