Počet záznamů: 1  

Microwave-induced patterns in .I.n./I.-GaAs and their photoluminiscence

  1. 1.
    0132882 - FZU-D 20000137 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Bel'kov, V. V. - Hirschinger, J. - Schowalter, D. - Niedernostheide, F. J. - Ganichev, S. D. - Prettl, W. - Mac Mathúna, D. - Novák, Vít
    Microwave-induced patterns in .I.n./I.-GaAs and their photoluminiscence.
    Physical Review. B. Roč. 61, č. 20 (2000), s. 13698-13702. ISSN 0163-1829
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.065, rok: 2000

    Using the technique of photoluminescence imaging, self-organized patterns of high-electron density in homogenous n-GaAs layers under homogenous microwave irradiation are studied.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030878

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.