Počet záznamů: 1  

Magnetoresistance and electronic structure of asymmetric GaAs/Al.sub.0.3./sub.Ga.sub.0.7./sub.As double quantum wells in an in-plane or tilted magnetic field

  1. 1.
    0132724 - FZU-D 20000280 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Makarovskij, Oleg N. - Smrčka, Ludvík - Vašek, Petr - Jungwirth, Tomáš - Cukr, Miroslav - Jansen, L.
    Magnetoresistance and electronic structure of asymmetric GaAs/Al0.3Ga0.7As double quantum wells in an in-plane or tilted magnetic field.
    Physical Review. B. Roč. 62, č. 16 (2000), s. 10908-10913. ISSN 0163-1829
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.065, rok: 2000

    Bilayer two-dimenional electron systems formed by a thin barrier in the GaAs buffer of a standard heterostructure were investigated by magnetotransport measurements.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030730

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.