0132494 - FZU-D 990445 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Pacherová, Oliva - Slezák, Jiří - Cukr, Miroslav - Bartoš, Igor
Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 11 (1999), s. 4736C-4739C. ISSN 0011-4626.
[Symposium on Surface Physics /7./. Třešť, 28.06.1999-02.07.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0415
Grant ostatní: MŠk(CZ) Kontakt-090
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000567