0132351 - FZU-D 990295 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Tejedor, P. - Šmilauer, Pavel - Joyce, B. A.
Morphological instabilities during homoepitaxy on vicinal GaAs(110) surfaces.
Microelectronics Journal. Roč. 30, - (1999), s. 477-482. ISSN 0026-2692. E-ISSN 1879-2391
Grant CEP: GA ČR GA202/96/1736
Grant ostatní: EPSRC(GB) GR97540; PR95(ES) 143
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.363, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030378