Počet záznamů: 1  

Diffusion mobility and defect analysis in GaSb

  1. 1.
    0131677 - FZU-D 980172 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Mimkes, J. - Šestáková, Věra - Nassr, K. M. - Lübbers, M. - Štěpánek, Bedřich - Novák, J. (ed.)
    Diffusion mobility and defect analysis in GaSb.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 187, - (1998), s. 355-362. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA ČR GA104/97/0589; GA ČR 104/98/0024; GA ČR GA203/98/1276
    Impakt faktor: 1.307, rok: 1998
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029732

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.