Počet záznamů: 1
Localization phenomena, photoluminescence and Raman scattering in nc-Si and nc-Si/a-SiO2 composites
- 1.0131252 - FZU-D 970330 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Veprek, S. - Wirschem, T. - Rückschloss, M. - Ossadnik, C. - Dian, J. - Perna, S. - Gregora, Ivan
Localization phenomena, photoluminescence and Raman scattering in nc-Si and nc-Si/a-SiO2 composites.
1-55899-308-8. In: Surface/Interface and Stress Effects in Electronic Materials Nanostructures. Boston: Material Research Society, 1996 - (Prokes, S.; Cammarata, R.; Wang, K.; Christon, A.), s. 141-152. Material Research Society Symposium Proceedings (MRS)., 405.
[MRS Fall Meeting 1995. Boston (US), 02.12.1995-06.12.1995]
Grant CEP: GA AV ČR IAA110426
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029329
Počet záznamů: 1