0105873 - URE-Y 20040038 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
[Studium žíhání čistých a Mn dotovaných krystalů InP při vysoké teplotě: fotoluminescence a hallovská měření.]
Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002. Weinheim: WileyVCH Verlag, 2003 - (Stutzmann, M.), s. 862-866. Physica Status Solidi, Conferences, 0.3.2003. ISBN 3-527-40436-8.
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest (HU), 26.05.2002-29.05.2002]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Crystals of intentionally undoped n-type InP and Mn doped p-type InP were grown by Czochralski technique. The as grown crystals and those processed by high temperature long time annealing were studied by low temperature photoluminescence and temperature dependent Hall measurements. A new broad band was observed in those undoped InP samples which were converted to semi-insulating state by annealing.

Nedotované krystaly InP typu n a Mn dotované krystaly typu p byly připraveny metodou Czochralského. Jak připravené krystaly, tak krystaly podrobené dlouhodobému žíhání při vysoké teplotě byly studovány pomocí nízkoteplotní fotoluminescence a teplotně závislého Hallova jevu. Byl pozorován nový široký luminiscenční pás u nedotovaných vzorků, které byly konvertovány do semi-izolačního stavu v důsledku žíhání.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013061