Počet záznamů: 1  

Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode

  1. 1.
    0105871 - URE-Y 20040036 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Vaniš, Jan - Chow, D. H. - Pangrác, Jiří - Šroubek, Filip - McGill, T. C. M. - Walachová, Jarmila
    Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode.
    [Charakterizace dvojité tunelové bariérové InAs/AlSb heterostruktury pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie s bázovou InAs elektrodou.]
    Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002. Weinheim: WileyVCH Verlag, 2003 - (Stutzmann, M.), s. 986-991. Physica Status Solidi, Conferences, 0.3.2003. ISBN 3-527-40436-8.
    [EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest (HU), 26.05.2002-29.05.2002]
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
    Klíčová slova: field emission electron microscopy * semiconductor quantum wells * spectroscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    The characterization of InAs/AlSb double tunnel barrier heterostructure with the well thickness of 12nm and symmetric barrier thickness of 2nm by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy is presented. For the measurements the top InAs layer of heterostructure is used as the base electrode.

    Je prezentována charakterizace dvojité tunelové bariérové InAs/AlSb heterostruktury s šířkou jámy 12nm a symetrickými barierami tloušťky 2nm pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie. Jako bázová elektroda je použita vrchní InAs vrstva heterostruktury.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013059

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.