0104840 - UCHP-M 20040094 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Urbanová, Markéta - Pola, Josef
IR Laser Decomposition of 1,3-Disilacyclobutane in Presence of Carbon Disulfide: Chemical Vapour Deposition of Polythiacarbosilane.
[IČ laserový rozklad 1,3-disilacyklobutanu v přítomnosti sirouhlíku: chemická deposice polythiakarbosilanu z plynné fáze.]
Journal of Organometallic Chemistry. Roč. 689, č. 16 (2004), s. 2697-2701. ISSN 0022-328X. E-ISSN 1872-8561
Grant CEP: GA MŠMT ME 612
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4072921
Klíčová slova: laser * polythiacarbosilane * chemical vapor deposition
Kód oboru RIV: CC - Organická chemie
Impakt faktor: 1.905, rok: 2004

TEA CO2 laser irradiation of gaseous mixtures of 1,3-disilacyclobutane ů carbon disulfide affords chemical vapour deposition of solid polythiacarbosilane films that possess Si-S-X ( X= Si, C), S-H and Si-H bonds and undergo slow hydrolysis in air to polyoxothiacarbosilanes containing Si-H, Si-O-Si and (C)S-H bonds. The formation of the polythiocarbosilane is proposed to take place via dehydrogenative polymerization of transient silene and incorporation of CS2 into formed polysilene network

TEA CO2 laserové ozařování plynných směsí 1,3-disilacyklobutanu a sirouhlíku dovoluje uskutečnit chemickou deposici pevných polythiakarbosilanových filmů, které mají Si-S-X ( X= Si, C), S-H a Si-H vazby a které podléhají pomalé hydrolýze na vzduchu na polyoxothiakarbosilany obsahující Si-H, Si-O-Si a (C)S-H vazby. Tvorba polythiakarbosilanu je interpretována tak, že probíhá přes dehydrogenační polymerizaci přechodného silenu a inkorporaci CS2 do vytvářené struktury polysilenu
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0012102