Počet záznamů: 1
IR Laser Ablation of Silicon Monoxide in Gaseous Methanol and Hydrocarbons: Deposition of Polyoxocarbosilane
- 1.0104766 - UCHP-M 20040020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dřínek, Vladislav - Bastl, Zdeněk - Šubrt, Jan - Pola, Josef
IR Laser Ablation of Silicon Monoxide in Gaseous Methanol and Hydrocarbons: Deposition of Polyoxocarbosilane.
[IČ laserově iniciovaná ablace oxidu křemnatého v plynech metanolu a uhlovodíků : deposice polyoxokarbosilanu.]
Journal of Analytical and Applied Pyrolysis. Roč. 71, č. 2 (2004), s. 431-444. ISSN 0165-2370. E-ISSN 1873-250X
Grant CEP: GA ČR GA203/00/1288
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4072921; CEZ:AV0Z4032918; CEZ:AV0Z4040901
Klíčová slova: silicon monoxide * reactive laser ablation * polyoxocarbosilane coatings
Kód oboru RIV: CH - Jaderná a kvantová chemie, fotochemie
Impakt faktor: 1.352, rok: 2004
TEA CO2 laser-induced (thermal) ablation of amorphous silicon monoxide in gaseous methanol and hydrocarbon (ethane, ethene, ethyne) results in chemical vapour deposition of solid nano-structured polyoxocarbosilane coatings. The coatings analyzed by FTIR spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) are revealed as composed of different SikOlHmCn configurations and containing Si---OCHx, Si---CHx and Si---H bonds (ablation in methanol) or Si---H and Si---CHx bonds (ablation in hydrocarbons). The enrichment by H and CHx groups is dependent on methanol and hydrocarbon pressure. The incorporation of carbon during the SiO ablation in hydrocarbons grows in the series ethane
TEA CO2 laserově (tepelně) iniciovaná ablace amorfního oxidu křemnatého v parách metanolu a uhlovodíků vede k chemické deposici pevných nano-strukturovaných polyoxokarbosilanových povlaků. Tyto materiály byly charakterizovány pomocí IČ a XP spektroskopie a interpretovány jako struktury obsahující Si-OCHx, Si-CHx and S-H vazby (ablace v parách metanolu) nebo Si-H and Si-CHx vazby (ablace v parách uhlovodíků). Obohacení H a CHx skupinami je závislé na tlaku metanolu a uhlovodíků. Inkorporace uhlíku během SiO ablace v parách uhlovodíků vzrůstá v řadě metan -ethylén -etan
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0012032
Počet záznamů: 1