0104218 - FZU-D 20040560 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hazdra, P. - Voves, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Optical characterization of MOVPE grown .delta. -InAs layers in GaAs.
[Optická charakterizace InAs delta-vrstev v GaAs připravených MOVPE technologií.]
EXMATEC 2004. Montpellier: Centre National de la Recherche Scientifique, 2004, s. 73-74.
[International Workschop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & technologies /7./. Montpellier (FR), 01.06.2004-04.06.2004]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: InAs ë-layers * semiconductor lasers * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Simultaneous application of three optical methods photoluminescence, photocurrent and photoreflectance spectroscopy for characterization of MOVPE grown InAs .delta.-layers forming single-quantum wells, double-quantum wells and multi-quantum in GaAs. Evaluation and interpretation of measured optical transitions is based on simulation of electronic states in .delta.-layers

Současné použití tří optických metod - fotoluminiscence, fotoproudu a spektrální odrazivosti - pro charakterizaci jednoduchých, dvojitých a vícenásobných delta-vrstev InAs v GaAs. Naměřené optické přechody byly přiřazeny a interpretovány na základě simulace elektronových stavů v delta-vrstvách
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0011495