Počet záznamů: 1  

Conduction band splitting and transport properties of Bi2Se3

  1. 1.
    0101923 - SLCHPL-S 20043018 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Navrátil, Jiří - Horák, Jaromír - Plecháček, T. - Kamba, Stanislav - Lošťák, P. - Dyck, J. S. - Chen, W. - Uher, C.
    Conduction band splitting and transport properties of Bi2Se3.
    [Rozštěpení vodivostního pásu a transportních vlastností Bi2Se3.]
    Journal of Solid State Chemistry. Roč. 177, č. 4-5 (2004), s. 1704-1712. ISSN 0022-4596. E-ISSN 1095-726X
    Grant CEP: GA AV ČR KSK2050602; GA AV ČR KSK1010104
    Klíčová slova: transport properties * carrier scattering
    Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
    Impakt faktor: 1.815, rok: 2004

    The measurement transport and thermal properties of Bi2Se3 from 2-300K were analyzed in model consisting of two groups of electrons. Very good agreement witr the experimental data was obtained assuming electrons are scattered on acoustic phonons and ionized impurities. The fitted transport parameters wereused to calculate electronic port of thermal conductivity. Lattice thermal conductivity of Be2Se3 was then modeled with Debye approach in the relaxation time approximation

    Měření transportních a tepelných vlastností Bi2Se3 v rozměru teplot 2-300K byl ověřován pásový model beroucí v úvahu 2 typy elektonů. Byl získán velmi dobrý souhlas s experimentálními výsledky předpokládaje, že elektrony jsou rozptylovány na akustických fononech a ionizovaných příměsích. Fitováním záskané transportní parametry byly použity pro výpočet elektronické části tepelné vodivosti. Mřížková tepelná vodivost Bi2Se3 byla poté modelována za použití Debyeova přístupu při aproximaci relaxačních časů
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000090

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.