0100708 - FZU-D 20040431 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Kaminski, W. - Jelínek, Pavel - Pérez, R. - Flores, F. - Ortega, J.
Si-substitutional defects on the .alfa.-Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x. sqrt. 3) surface.
[Si-substituční defekt na Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x .sqrt. 3) povrchu.]
Applied Surface Science. Roč. 234, - (2004), s. 286-291. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant ostatní: CICYT(ES) MAT-2001-0665
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: first principles DFT * local- orbital method * Sn/Si(111) surface
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.497, rok: 2004

We use a first-principle DFT local-orbital method and analyze Si-defects on a large Sn/Si(111) surface unit-cell, corresponding to a defect concentration as low as 3.7%

Použili jsme prvoprincipielní DFT metodu lokálních orbitálů a analyzovali jsme Si-poruchy v rámci velkých Sn/Si(111) povrchových základních buněk, odpovídající nízké koncentraci 3.7%
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000008