Počet záznamů: 1  

Magnetoresistance of Si(001) MOSFETs with high concentration of electrons

  1. 1.
    0100328 - FZU-D 20040263 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Smrčka, Ludvík - Makarovsky, O. N. - Schemenchinskii, S. G. - Vašek, Petr - Jurka, Vlastimil
    Magnetoresistance of Si(001) MOSFETs with high concentration of electrons.
    [Magnetorezistence Si(001) MOSFETů s vysokou koncentrací elektronů.]
    Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 22, - (2004), s. 320-323. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759.
    [International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems /15./. Nara, 14.07.2003-18.07.2003]
    Grant CEP: GA ČR GA202/01/0754; GA ČR GA202/96/0036
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: Si MOSFET * magnetoresistance * Hall effect
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.898, rok: 2004

    The second series of oscillations, observed in addition to the main series of Shubnikov-de Hass oscillations, is tentatively attributed to the occupation of a subband associated with the E0' level

    Pozorovaná druhá série Šubnikových-de Haasových oscilací je připsána kvantové hladině E0'
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007831

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.