Počet záznamů: 1
Study of InAs/GaAs quantum dots grown by LP-MOVPE
- 1.0099879 - FZÚ 2008 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hazdra, P. - Atef, M. - Komarnitsky, V. - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Study of InAs/GaAs quantum dots grown by LP-MOVPE.
[Studie InAs/GaAs kvantových teček vypěstovaných technologií LP-MOVPE.]
NANO´07. Brno: VUTIUM, 2007 - (Šandera, P.), s. 36-36. ISBN 978-80-214-3460-8.
[International Conference NANO´07. Brno (CZ), 08.10.2007-10.10.2007]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * MOVPE * electronic states * simulation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
We show simulation study of electronic transition energy for InAs/GaAs quantum dots fabricated with LP-MOVPE. The simulation results were compared with experimental data obtained by AFM and photoluminescence.
Studovali jsme výpočet elektronových energií InAs/GaAs kvantových teček, které byly připraveny pomocí nízkotlaké MOVPE technologie. Výsledky simulace byly porovnány s experimentálně získanými daty z AFM a fotoluminiscence.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0158352
Počet záznamů: 1