Počet záznamů: 1
Characterization of indium phosphide single crystals for X-ray detection
- 1.0088292 - ÚFE 2008 DE eng A - Abstrakt
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel
Characterization of indium phosphide single crystals for X-ray detection.
[Charakterizace monokrystalů fosfidu india pro detekci rtg záření.]
DRIP-XII 2007:12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Programme & Abstracts. Berlin: [Forschungsverbund Berlin], 2007. s. 132--.
[DRIP /12./. 09.09.2007-13.09.2007, Berlin]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: crystal growth * radiation detection * semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Five species of semi-insulating InP crystals were characterised by electrical, optical and structural methods. Temperature dependent Hall coefficient and resistivity, DLTS, capacitance-voltage characteristics and dislocation clusters were measured. Prototype radiation detectors were measured by 241Am alpha particles, 137Cs gamma rays and 40 keV X-rays. The best results were achieved on detectors made from the annealed InP:Ta.
Pět druhů semiizolačních krystalů InP byly charakterizováno elektrickými, optickými a stukturními metodami. Byly měřeny teplotní závislosti Hallova koeficientu a měrného odporu, DLTS, charakteristiky kapacita-napětí a klustry dislokací. Prototypy radiačních detektorů byly měřeny alfa částicemi z 241Am, gama paprsky z 137Cs a 40 keV rtg paprsky. Nejlepší výsledky byly dosaženy na detektorech připravených z žíhaných InP:Ta.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149869
Počet záznamů: 1