Počet záznamů: 1  

Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor

  1. 1. 0079015 - FZU-D 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš - Kaestner, B. - Irvine, A.C. - Shick, Alexander - Stone, N. - Wang, K. Y. - Rana, U. - Giddings, A.D. - Foxon, C. T. - Campion, R. P. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
    Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor.
    [Anisotropní magnetoresistence v režimu Coulombovské blokády v jednoelektronovém transistoru na bázi (Ga,Mn)As.]
    Physical Review Letters. Roč. 97, č. 7 (2006), 077201/1-077201/4 ISSN 0031-9007
    Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA MŠk LC510
    Grant ostatní:EPSRC(GB) GR/S81407/01
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: anisotropic magnetoresistance * Coulomb blockade * single electron transistor
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 7.072, rok: 2006

    Experimental discovery and theoretical description of the Coulomb blockade anisotropic magnetoresistance in a ferromagnetic GaMnAs single electron transistor

    Experimentální objev a teoretický popis anisotropní magnetoresistence v režimu Coulombovské blokády v jednoelektronovém transistoru na bázi (Ga,Mn)As
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0143916