0028615 - UCHP-M 20050106 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Pola, Josef - Pokorná, Dana - Diánez, M.J. - Sayagués, M.J. - Bastl, Zdeněk - Vorlíček, Vladimír
IR Laser-Induced Synthesis of Nanostructured Gemanium Telluride in the Gas Phase.
[IČ laserově iniciovaná syntéza nanostrukturovaných filmů telluridů germania v plynné fázi.]
Applied Organometallic Chemistry. Roč. 19, č. 7 (2005), s. 854-858. ISSN 0268-2605. E-ISSN 1099-0739
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA4072107
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40720504
Klíčová slova: laser-induced decomposition * germanium telluride * pyrolysis
Kód oboru RIV: CH - Jaderná a kvantová chemie, fotochemie
Impakt faktor: 1.190, rok: 2005

The gas phase synthesis and chemical vapour deposition of nano-structured germanium telluride was achieved for the first time. The pulsed IR laser irradiation of gaseous CH3)4Ge - (CH3)2Te - SF6 mixtures results in homogeneous decomposition of both organometallics and formation of GeTex (x = 1,2). The amorphous GeTe2 and crystalline GeTe were identified by Raman and x-ray photoelectron spectroscopy and by electron diffraction. Their formation is explained by an intermediacy of Ge and Te clusters and by reaction between these clusters in a hot laser-induced zone.

Poprvé bylo dosaženo syntézy nanostrukturovaných telluridů germania v plynné fázi a jejich chemické deposice. Ozařování plynných (CH3)4Ge - (CH3)2Te - SF6 směsí pulsním zářením IČ laseru vede k homogennímu rozkladu obou organokovových sloučenin a tvorbě GeTex (x = 1,2). Amorfní GeTe2 a krystalický GeTe byly identifikovány Ramanovou a XP spektroskopií a elektronovou difrakcí. Jejich tvorba byla vysvětlena přechodným vznikem a reakcí shluků Ge a Te v horké zoně laserového svazku.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0118538