Počet záznamů: 1

High temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon carbide and boron-doped diamond thin films

SYSNO ASEP	0522073
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	O - Ostatní
Název	High temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon carbide and boron-doped diamond thin films
Tvůrce(i)	Stuchlíková, The-Ha (FZU-D)_{RID, ORCID} Remeš, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID} Mortet, Vincent (FZU-D)_{RID, ORCID} Ashcheulov, Petr (FZU-D)_{ORCID, RID} Krivyakin, G.K. (RU) Volodin, V. (RU) Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	7
Zdroj.dok.	Book of Abstracts of IWEPNM 2019. - Berlin : Technische Universität Berlin Institut für Festkörperphysik, 2019 / Machón M. S. 37-37
Poč.str.	1 s.
Akce	International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials (IWEPNM) /33./
Datum konání	09.03.2019 - 16.03.2019
Místo konání	Kirchberg
Země	AT - Rakousko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	DE - Německo
Klíč. slova	PIN diodes ; hydrogenated silicon carbide ; boron doped diamond
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP	EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	The novel a-SiC:H diode structures on transparent conductive boron-doped diamond (BDD), have been deposited by the PECVD. The future of in-situ integration of nanoparticles and quantum dots in thin film structures for optoelectronic applications requires deposition temperatures above 400C. On the boron-doped diamond were deposited thin film PIN structure on the base of a-SiC:H. The layers have been studied by the SEM, temperature resolved electrical conductivity, optical absorptance, photocurrent and PL spectroscopy. The BDD/a-SiC:H diodes have been characterized by I-V measurement and by EL spectroscopy
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2020

Počet záznamů: 1