Počet záznamů: 1
Optoelectronic properties of thin film amorphous hydrogenated silicon carbide diodes deposited on transparent boron-doped diamond
- 1.
SYSNO ASEP 0521853 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název Optoelectronic properties of thin film amorphous hydrogenated silicon carbide diodes deposited on transparent boron-doped diamond Tvůrce(i) Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
Ashcheulov, Petr (FZU-D) ORCID, RID
Taylor, Andrew (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Hasselt diamond workshop 2019 - SBDD XXIV. - Hasselt : SBDD XXIV, 2019
S. 150-150Poč.str. 1 s. Akce Hasselt diamond workshop 2019 - SBDD XXIV Datum konání 13.03.2019 - 15.03.2019 Místo konání Hasselt Země BE - Belgie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. BE - Belgie Klíč. slova amorphous hydrogenated silicon carbide ; boron-doped diamond Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace We developed thin film diode structures based on thin film a-SiC:H prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition at a relatively high temperature on transparent conductive boron-doped diamond (BDD) with an underlying Ti grid. The optical absorption of the BDD/Ti electrode is about 10% in a broad spectral range and the sheet resistivity about 100 /sq. The diodes have been characterized by photocurrent, photoluminescence, Raman and electroluminescence spectroscopy, as well as optical absorption spectroscopy in the visible, near infrared and mid infrared regions. Diodes show a relatively high optical transparency in the near infrared region, a dark current rectifying ratio of more than 4 orders at ±1.5 V, short photocurrent density 15 mA/cm2 and an energy conversion efficiency of 4%. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1