Počet záznamů: 1
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric a-SiC:H with low carbon content deposited on semi-transparent ZnO
- 1.
SYSNO ASEP 0521781 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric a-SiC:H with low carbon content deposited on semi-transparent ZnO Tvůrce(i) Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Chang, Yu-Ying (FZU-D)
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Shu, H.H. (TW)Celkový počet autorů 5 Zdroj.dok. Book of Abstracts of the 29th Joint Seminar of the Development of Materials Science in Research and Education (DMS – RE 2019). - Bratislava : STU Bratislava, 2019 / Behúlová M. ; Kožíšek Z. ; Papánková B. - ISBN 978-80-8208-019-6
S. 41-41Poč.str. 1 s. Akce 29th Joint Seminar Development of Materials Science in Research and Education (DMS-RE2019) Datum konání 02.09.2019 - 06.09.2019 Místo konání Nová Lesná Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova ZnO ; a-SiC:H Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Here we will study the optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric a-SiC:H with low carbon content deposited on semi-transparent ZnO electrode using otical absorption spectroscopy PDS (photothermal deflection spectroscopy), Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR), photoluminescence and electroluminescence spectroscopy. The infrared absorbance spectra confirm low carbon content x up to 0.1 in a-SixC1-x:H for SiH4/CH4 ratio 1:3. The increasing CH4 concentration in the H2/SiH4/CH4 flow rate decreases the growth rate of a-SixC1-x:H, increases x and lattice disorder and broadens the band gap to higher energy in agreement with previous publications
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1