Počet záznamů: 1
Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
- 1.
SYSNO ASEP 0502374 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure Tvůrce(i) Hájek, František (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Slavická Zíková, Markéta (FZU-D)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Proceedings of the 8th Student scientific conference of solid state engineering and materials. - Praha : České vysoké učení technické v Praze, 2018 / Dragounová K. ; Koubský T. ; Kalvoda L. ; Čapek J. ; Trojan K. ; Kolenko P. - ISBN 978-80-01-06511-2 Rozsah stran s. 42-45 Poč.str. 4 s. Forma vydání Online - E Akce Student scientific conference of solid state engineering and materials /8./ Datum konání 17.09.2018 - 21.09.2018 Místo konání Sedliště Země CZ - Česká republika Typ akce CST Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova nitrides ; quantum wells ; luminescence ; semiconductor doping Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Luminescence of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure is strongly affected by spontaneous and piezoelectric polarizations. To suppress them, doping with shallow impurities (e. g. Si) can be used. This works presents the effects of Si doping in different layers around the MQW area. On the basis of photoluminescence and cathodoluminescence measurements and band structure simulation, the piezoelectric field is most efficiently reduced when both layers under and over MQW area are Si doped.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019 Elektronická adresa html: https://kiplwww.fjfi.cvut.cz/drupal7/sites/default/files/Sbornik_SSCSSPM8_2018_FinalPublished_compressed.pdf
Počet záznamů: 1