Počet záznamů: 1  

Dusíkom dopované diamantové vrstvy

  1. 1.
    SYSNO ASEP0502326
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevDusíkom dopované diamantové vrstvy
    Překlad názvuNitrogen-doped diamond layers
    Tvůrce(i) Michniak, P. (SK)
    Ižák, Tibor (FZU-D) RID
    Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
    Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Celkový počet autorů4
    Zdroj.dok.Conference proceedings of the 20th School of Vacuum Technology - Nanoelectronics and Vacuum. - Bratislava : Slovenská vákuová spoločnosť, 2018 / Michalka M. ; Vincze A. - ISBN 978-80-99905-00-0
    Rozsah strans. 94-97
    Poč.str.4 s.
    Forma vydáníOnline - E
    AkceSchool of Vacuum Technology - Nanoelectronics and Vacuum /20./
    Datum konání23.10.2018 - 26.10.2018
    Místo konáníŠtrbské Pleso
    ZeměSK - Slovensko
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.cze - čeština
    Země vyd.SK - Slovensko
    Klíč. slovadoped diamond ; chemical vapor deposition ; Raman spectroscopy ; Hall measurements
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPNV15-33018A GA MZd - Ministerstvo zdravotnictví
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    AnotaceDusíkom dopované diamantové vrstvy boli pripravené metódou MW CVD pri rôznych pomeroch CH4/N2/H2. Na určenie ich základných vlastností boli použité metódy SEM, optická interferenciometria, Ramanova spektroskopia a Hallove merania. Rast mikrokryštalickej diamantovej vrstvy prebehol iba pri vrstvách bez dopácie N2, a teda dopácia N2 spôsobí zmenu mikrokryštalickej diamantovej vrstvy na nanokryštalickú diamantovú vrstvu, čo potvrdila aj Ramanova spektroskopia. Analyzovaná el. vodivosť NDD vrstiev pravdepodobne nesúvisí s dopáciou N2.
    Překlad anotaceIn this contribution analysis of nitrogen doped diamond (NDD) prepared by Microwave Chemical Vapor Deposition on SiO2/Si structure is described. Three series of NDD samples were grown in different CH4/H2 gas flow (2, 5, and 8%). Nitrogen present in growth chamber caused a nitrogen dopation. In this contribution samples with different N2 ratio for each series of CH4/H2 composition were prepared. Prepared samples were analysed by SEM, optical interferometry, Raman spectroscopy (λ=325) and Hall measurement.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2019
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.