Počet záznamů: 1  

Electronic transfer between nanostructures. Negative differential resistance in conductive polymers.

  1. 1.
    SYSNO ASEP0496857
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevElectronic transfer between nanostructures. Negative differential resistance in conductive polymers.
    Tvůrce(i) Král, Karel (FZU-D) RID
    Menšík, Miroslav (UMCH-V) RID
    Celkový počet autorů2
    Zdroj.dok.Nanocon 2017 : conference proceedings : 9th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. - Ostrava : Tanger Ltd., 2018 - ISBN 9788087294819
    Rozsah strans. 175-179
    Poč.str.5 s.
    Forma vydáníOnline - E
    AkceNANOCON 2017. International Conference on Nanomaterials - Research & Application /9./
    Datum konání18.10.2017 - 20.10.2017
    Místo konáníBrno
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovaelectronic transfer ; charge transfer ; nanostructures ; quantum dots ; nonequilibrium transport theory
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Vědní obor RIV – spolupráceÚstav makromolekulární chemie - Makromolekulární chemie
    CEPGC16-10429J GA ČR - Grantová agentura ČR
    LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271 ; UMCH-V - RVO:61389013
    UT WOS000452823300029
    EID SCOPUS85051869606
    AnotaceThe effect of negative differential resistance can be observed experimentally in some material systems based on polymers. These observation are explained usually to be due to the presence of certain carrier traps which can capture the carriers of the electric current. In the present theoretical work we are going to show that besides this carrier trapping origin of the negative differential resistance there can also be an intrinsic mechanism present, causing such an effect. Namely, instead of the traps, the electron-phonon interaction can cooperate with the tunneling of the charge carriers between their localized states and can provide the effect the negative differential resistance. This electron-phonon interaction is included in a non-perturbative way. The theory will be briefly summarized and explained.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2019
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.