Počet záznamů: 1
Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications
- 1.
SYSNO ASEP 0496205 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Vaněk, Tomáš (FZU-D) ORCID
Jarý, Vítězslav (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. - : University of Warsaw, 2018
S. 256-256Poč.str. 1 s. Akce International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7 Datum konání 05.08.2018 - 10.08.2018 Místo konání Warsaw Země PL - Polsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. PL - Polsko Klíč. slova InGaN/GaN ; MQW structure ; scintillator Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Nitride semiconductor heterostructures are widely used for light emitting and laser diodes as well as for high power and high frequency applications. Recently, new application for InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) heterostructures has emerged. It was shown that these heterostructures, if properly designed, can work as very efficient fast scintillators with long lifetime due to their radiation resistance. Although this application does not have such a massive market as LEDs, LDs or HEMTs, there is still very strong demand for fast scintillators and detectors of ionizing radiation due to the expansion of new diagnostic methods in medicine, electron microscopy and nuclear physics. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1