Počet záznamů: 1
Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number
- 1.
SYSNO ASEP 0496184 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number Tvůrce(i) Vaněk, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. - : University of Warsaw, 2018
S. 151-151Poč.str. 1 s. Akce International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7 Datum konání 05.08.2018 - 10.08.2018 Místo konání Warsaw Země PL - Polsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. PL - Polsko Klíč. slova InGaN/GaN ; QW number Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Luminescence results of InGaN/GaN multiple quantum well (QW) structures with number of QWs from 10 to 60 are studied in this work.The aim is to optimize a thickness of active region for maximization of the intensity of faster blue QW emission and suppression of the slower QW defect band luminiscence, which is undesired for fast scintillator application. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1