Počet záznamů: 1

Effect of dust contamination on GaN/InGaN multiple quantum well growth morphology

SYSNO ASEP	0496161
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	O - Ostatní
Název	Effect of dust contamination on GaN/InGaN multiple quantum well growth morphology
Tvůrce(i)	Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Kretková, Tereza (FZU-D) Novotný, Radek (FZU-D) Dominec, Filip (FZU-D)_{RID, ORCID} Hájek, František (FZU-D)_ORCID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Celkový počet autorů	7
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. - : University of Warsaw, 2018 S. 152-152
Poč.str.	1 s.
Akce	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7
Datum konání	05.08.2018 - 10.08.2018
Místo konání	Warsaw
Země	PL - Polsko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	PL - Polsko
Klíč. slova	InGaN/GaN ; EDX ; cathodoluminescence
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	We report about macroscopic defects from InGaN/GaN multiple quantum well structures caused by unintended contamination of dust particles during the metalorganic vapour phase epitaxy. These structures are developed for use as fast scintillators and detectors of ionizing radiation, where extremely low intensity of excitation should be expected, and thus high demands on cleanliness must be required. On some of our samples, we found defects hundreds of μm in size with different types of changes in their epitaxial morphology and with different modifications in their physical properties. Using EDX in an electron microscope, particles of different elemental composition (e.g. Fe, Cr, Ni, Ca, Si) have been identified in the centre of the defects. We will present cathodoluminescence, PL and Raman spectra in surroundings of different defects and discuss the influence of the contamination.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2019

Počet záznamů: 1