Počet záznamů: 1

Impact of Si doping in different GaN layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure

SYSNO ASEP	0496160
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	O - Ostatní
Název	Impact of Si doping in different GaN layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
Tvůrce(i)	Hájek, František (FZU-D)_ORCID Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	5
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. - : University of Warsaw, 2018 S. 125-125
Poč.str.	1 s.
Akce	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7
Datum konání	05.08.2018 - 10.08.2018
Místo konání	Warsaw
Země	PL - Polsko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	PL - Polsko
Klíč. slova	InGaN/GaN ; quantum wells ; doping ; luminescence
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP	GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR
	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	Luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) are influenced by internal spontaneous and piezoelectric fields. These can be at least partially suppressed by doping with shallow impurities. This work shows impact of Si doping in different layers of MQWs on photoluminescence and cathodoluminescence of InGaN/GaN MQWs. To explain observed trends, band structure is also simulated. From our results emerges demand for Si doping at least under MQW area to obtain higher luminescence intensities. On the other hand, such doping also enhances unwanted defect luminescence which is detrimental for using InGaN MQWs as scintillation material.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2019

Počet záznamů: 1