Počet záznamů: 1

MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure

SYSNO ASEP	0479290
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	O - Ostatní
Název	MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Hývl, Matěj (FZU-D)_ORCID Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Celkový počet autorů	7
Zdroj.dok.	EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. - Grenoble, 2017 / Eymery J.
Rozsah stran	s. 114-117
Poč.str.	4 s.
Forma vydání	Online - E
Akce	EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
Datum konání	18.06.2017 - 21.06.2017
Místo konání	Grenoble
Země	FR - Francie
Typ akce	EUR
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	FR - Francie
Klíč. slova	MOVPE ; nitrides ; scintillator ; quantum well
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP	GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR
	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	Fast scintillators with decay time of few nanoseconds are necessary for scanning electron microscopes in inspection machines in electronic industry. Serious morphological problem of the InGaN/GaN MQWs is formation of V-pits. These V-pits originate in InGaN QWs and they are created due to dislocations. InGaN/GaN structures with a different number of QWs and different thickness of GaN covering layers were grown, measured by AFM and their photoluminescence (PL) properties were compared. V-pit size (depth and diameter) depends on the total thickness of InGaN layers and on the growth rate, not on the capping layer thickness. Fast exciton QW PL can be increased by the thickness of GaN capping layer, higher In content and lower growth rate of the capping layer.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2018

Počet záznamů: 1