Počet záznamů: 1  

Hydrogen plasma treatment of ZnO thin films

  1. 1.
    SYSNO ASEP0478353
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevHydrogen plasma treatment of ZnO thin films
    Tvůrce(i) Chang, Yu-Ying (FZU-D)
    Neykova, Neda (FZU-D) RID, ORCID
    Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Purkrt, Adam (FZU-D) RID
    Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings. - Ostrava : TANGER Ltd., 2017 - ISBN 978-80-87294-71-0
    Rozsah strans. 161-165
    Poč.str.5 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    AkceNANOCON 2016. International Conference on Nanomaterials - Research and Application /8./
    Datum konání19.10.2016 - 21.10.2016
    Místo konáníBrno
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovaZnO ; reactive magnetron sputtering ; hydrogen plasma treatment
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPGC16-10429J GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000410656100027
    EID SCOPUS85017212910
    AnotaceZnO is an attractive wide band gap semiconductor with large exciton binding energy, high refractive index, high biocompatibility and diversety of nanostructure shapes which makes it suitable for many applications in the optoelectronic devices, optical sensors, and biosensors. We study the effect of hydrogen plasma treatment of the nominally undoped ZnO thin film deposited by DC reactive magnetron sputtering of Zn target in the gas mixture of argon and oxygen plasma. The SEM images show that the crystal size increases with film thickness. We confirm, that the electrical conductivity significantly increases after hydrogen plasma treatment by 4 orders of magnitude. Moreover, the increase of the infrared optical absorption, related to free carrier concentration, was detected below the optical absorption edge by the photothermal deflection spectroscopy.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2018
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.