Počet záznamů: 1
Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
- 1.
SYSNO ASEP 0477154 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pacherová, Oliva (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Brůža, P. (CZ)
Pánek, D. (CZ)
Blažek, K. (CZ)
Ledoux, G. (FR)
Dujardin, C. (FR)
Heuken, M. (DE)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 15 Číslo článku 1003617 Zdroj.dok. Fourth Conference on Sensors, MEMS, and Electro-Optic Systems. - Bellingham : SPIE, 2017 / du Plessis M. - ISSN 0277-786X - ISBN 978-151060513-8 Rozsah stran s. 1-15 Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce South African Conference on Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems (SMEOS) /4./ Datum konání 18.09.2016 - 20.09.2016 Místo konání Skukuza Země ZA - Jižní Afrika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova gallium nitride ; indium gallium nitride ; quantum wells ; scintillators ; sensors ; luminescence ; excitons ; scintillation ; radiation ; resistance Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2015087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000394537200042 EID SCOPUS 85014633065 DOI 10.1117/12.2244786 Anotace InGaN/GaN multiple QW structures were prepared by MOVPE and characterized by high resolution X-ray diffraction. We demonstrate structure suitability for scintillator application including a unique measurement of wavelength-resolved scintillation response under nanosecond pulse soft X-ray source. The photo-, radio- and cathodo-luminescence were measured. We observed double peak luminescence governed by different recombination mechanisms: exciton in QW and related to defects. We have shown that for obtaining fast and intensive luminescence response proper structure design is required. The radioluminescence decay time of QW exciton maximum decreased from 16 ns to 4 ns when the QW thickness was decreased from 2.4 to 2 nm. We have proved suitability of InGaN/GaN structures for fast scintillator application for electron or other particle radiation detection. For x-ray detection the fast scintillation response would be hard to achieve due to the dominant slow defect luminescence maximum. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1