Počet záznamů: 1  

Defect studies of Mg films deposited on various substrates

  1. 1.
    SYSNO ASEP0476827
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevDefect studies of Mg films deposited on various substrates
    Tvůrce(i) Hruška, P. (CZ)
    Čížek, J. (CZ)
    Anwand, W. (DE)
    Bulíř, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Drahokoupil, Jan (FZU-D) RID, ORCID
    Stráská, J. (CZ)
    Melikhova, O. (CZ)
    Procházka, I. (CZ)
    Lančok, Ján (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů9
    Číslo článku012024
    Zdroj.dok.Journal of Physics Conference Series, International Workshop on Positron Studies of Defects 2014, 674. - Bristol : IOP Publishing, 2016 - ISSN 1742-6588
    Rozsah strans. 1-6
    Poč.str.6 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    AkceInternational Workshop on Positron Studies of Defects 2014 (PSD 2014)
    Datum konání14.09.2014 - 19.09.2014
    Místo konáníKyoto
    ZeměJP - Japonsko
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovamagnesium films ; defects ; positron annihilation
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPGBP108/12/G043 GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000382077100024
    EID SCOPUS84962459992
    DOI10.1088/1742-6596/674/1/012024
    AnotaceIn the present work the structure of Mg films deposited by RF magnetron sputtering was characterized using variable energy positron annihilation spectroscopy combined with scanning electron microscopy and X-ray diffraction. The effect of deposition parameters, namely temperature, type of substrate and deposition rate, on the microstructure was examined. All Mg films studied grow with the basal (0001) plane parallel with the substrate and exhibit only negligible in-plane stress. Films deposited at room temperature are characterized by nanocrystalline structure with high volume fraction of grain boundaries. and positrons are preferentially trapped in open volume defects present at grain boundaries. In these films positrons are trapped predominantly in open-volume defects present at grain boundaries.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2018
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.