Počet záznamů: 1
Surface structure of MOVPE-prepared GaP(111)B
- 1.
SYSNO ASEP 0471521 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název Surface structure of MOVPE-prepared GaP(111)B Tvůrce(i) Kleinschmidt, P. (DE)
Mutombo, Pingo (FZU-D) RID, ORCID
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Himmerlich, M. (DE)
Berthold, T. (DE)
Wen, X. (DE)
Zhao, W. (DE)
Nägelein, A. (DE)
Steidl, M. (DE)
Paszuk, A. (DE)
Brückner, S. (DE)
Supplie, O. (DE)
Krischok, S. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. 31th DGKK Workshop Epitaxy of III/V Semiconductors. - Berlin : DGKK, 2016
S. 25-25Poč.str. 1 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 31th DGKK Workshop Epitaxy of III/V Semiconductors Datum konání 08.12.2016 - 09.12.2016 Místo konání Duisburg Země DE - Německo Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova GaP(111) ; surface reconstruction ; MOVPE ; STM Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Atomic structures of MOVPE prepared B-type GaP(111) surfaces have been investigated by STM and ab initio DFT calculations. STM measurements revealed an atomically flat surface with a locally ordered domains of (r3xr3), (2x2), and c(4x2) reconstructions. Theoretical calculations predicted stable (2x2) or c(4x2) structures under H-rich conditions.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1