Počet záznamů: 1
III/V-on-Si interfaces: optical in situ control, surface science and DFT
- 1.
SYSNO ASEP 0471513 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název III/V-on-Si interfaces: optical in situ control, surface science and DFT Tvůrce(i) Supplie, O. (DE)
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
May, M.M. (DE)
Brückner, S. (DE)
Susi, T. (AT)
Paszuk, A. (DE)
Koppka, C. (DE)
Nägelein, A. (DE)
Steidl, M. (DE)
Zhao, W. (DE)
Dobrich, A. (DE)
Kleinschmidt, P. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. 31th DGKK Workshop Epitaxy of III/V Semiconductors. - Berlin : DGKK, 2016
S. 14-14Poč.str. 1 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 31th DGKK Workshop Epitaxy of III/V Semiconductors Datum konání 08.12.2016 - 09.12.2016 Místo konání Duisburg Země DE - Německo Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova GaP/Si ; MOVPE ; heterointerface Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Pseudomorphic virtual GaP/Si substrates are attractive for III/V-on-Si integration for microelectronics, photovoltaics, and water-splitting. The heterointerface is of particular interest since its atomic and electronic structure highly impacts crystal quality. Well-ordered interfaces are desirable but the formation of polar-on-nonpolar heterointerfaces is not yet fully understood. It is instructive to control each of the three steps (i) Si surface formation, (ii) III/V nucleation, and (iii) III/V layer growth individually in situ, which largely benefits from complementary surface science techniques as well as density functional theory (DFT). Here, we will highlight how such a combination enables specific metalorganic vapor phase (MOVPE) preparation of virtual substrates for both (100) and (111) orientation.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1