Počet záznamů: 1
GaP-on-Si(100) heterointerfaces studied in situ
- 1.
SYSNO ASEP 0471302 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název GaP-on-Si(100) heterointerfaces studied in situ Tvůrce(i) Supplie, O. (DE)
Brückner, S. (DE)
May, M.M. (DE)
Kleinschmidt, P. (DE)
Nägelein, A. (DE)
Paszuk, A. (DE)
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Grosse, F. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016). Program and Abstracts. - Marburg : Philipps Universität Marburg, 2016
S. 56Poč.str. 1 s. Forma vydání Tištěná - P Akce International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016) Datum konání 31.05.2016 - 03.06.2016 Místo konání Marburg Země DE - Německo Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova GaP/Si ; MOVPE ; heterointerface Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace We give an overview on how we combine optical in situ RAS during industrially scalable growth processes by MOVPE with electron-based in vacuo surface science analytics in order to study the GaP/Si(001) heterointerface formation and its atomic structure. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1