Počet záznamů: 1
GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE
- 1.
SYSNO ASEP 0471296 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE Tvůrce(i) Supplie, O. (DE)
Brückner, S. (DE)
May, M.M. (DE)
Kleinschmidt, P. (DE)
Nägelein, A. (DE)
Paszuk, A. (DE)
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Grosse, F. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. GCCCG-1/DKT2016. - Dresden : TU Dresden, 2016
S. 40Poč.str. 1 s. Forma vydání Tištěná - P Akce German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./ Datum konání 16.03.2016 - 18.03.2016 Místo konání Dresden Země DE - Německo Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova GaP/Si ; MOVPE ; heterointerface Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace It was demonstrated how time-resolved RAS measurements enable to in situ monitor the GaP nucleation on Si. The GaP sublattice can be inverted by a 'rotation' of the Si dimers prior nucleation or more Ga-rich growth conditions. The impact of As on Si surface as well as GaP nucleation on top of this surface were investigated. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1