Počet záznamů: 1

Progress of vaccum deposition techniques for Si:H thin films structures

SYSNO ASEP	0471062
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	O - Ostatní
Název	Progress of vaccum deposition techniques for Si:H thin films structures
Tvůrce(i)	Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Píč, Vlastimil (FZU-D) Stuchlíková, The-Ha (FZU-D)_{RID, ORCID} Purkrt, Adam (FZU-D)_RID Remeš, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Development of Materials Science in Research and Education. Book of Abstracts of the 26th Joint Seminar. - Praha : Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, v. v. i., 2016 / Kožíšek Z. ; Král R. ; Zemenová P. - ISBN 978-80-905962-4-5 S. 43
Poč.str.	1 s.
Forma vydání	Tištěná - P
Akce	Joint Seminar Development of Materials Science in Research and Education /26./
Datum konání	29.08.2016 - 02.09.2016
Místo konání	Pavlov
Země	CZ - Česká republika
Typ akce	EUR
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CZ - Česká republika
Klíč. slova	amorphous silicon ; vaccum technology
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GA13-12386S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	For evaluation of new quality Si:H thin films we already used the samples deposited by two technological procedures, which allows the integration of convenient nanoparticles of different semiconductors into the Si:H structures. The first one is a combination of PECVD and Reactive Deposition Epitaxy (RDE) [1] and second one the PECVD and Reactive Laser Ablation (RLA). In both cases the current technology does not allow to deposit the whole diode structure without interruption of vacuum process. Up to now only in the case of PECVD and Vacuum Evaporation together with Plasma Treatment (VE+PT) the all in situ deposition processes where realized in special vacuum chamber. The actual results, namely the influence of integrated Mg2Si NPs on the electroluminescence and reached basic parameters - Voc, FF and Isc of diode structures measured under illumination will be introduced.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2017

Počet záznamů: 1