Počet záznamů: 1

Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process

SYSNO ASEP	0466446
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process
Tvůrce(i)	Babchenko, O. (SK) Vanko, G. (SK) Dzuba, J. (SK) Ižák, Tibor (FZU-D)_RID Vojs, M. (SK) Lalinský, T. (SK) Kromka, Alexander (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	ASDAM 2016. - Danvers : IEEE, 2016 / Haščík Š. ; Dzuba J. ; Vanko G. - ISBN 978-150903083-5
Rozsah stran	s. 157-160
Poč.str.	4 s.
Forma vydání	Tištěná - P
Akce	International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./
Datum konání	13.11.2016 - 16.11.2016
Místo konání	Smolenice
Země	SK - Slovensko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	diamond ; GaN ; HEMT ; transistor ; metallization
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GP14-16549P GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	000392530900039
EID SCOPUS	85011015021
DOI	10.1109/ASDAM.2016.7805919
Anotace	The issue of gate metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process has been studied. Among tested Ni, Ir, NiO and IrO2 materials the iridium-based has the most promising characteristic to be used. The diamond growth in focused microwave plasma system on transistors with Ir and IrO2 Schottky contact metallization has been demonstrated and discussed.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2017

Počet záznamů: 1