Počet záznamů: 1

MIR LED-like structures with high temperature superlinear luminescence

SYSNO ASEP	0463669
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	O - Ostatní
Název	MIR LED-like structures with high temperature superlinear luminescence
Tvůrce(i)	Mikhailova, M. P. (RU) Ivanov, E.V. (RU) Danilov, L.V. (RU) Kalinina, K.V. (RU) Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	SMMO 2016. - Lisbon : COST, 2016 / Pereira M. S. 52
Poč.str.	1 s.
Forma vydání	Nosič - C
Akce	Annual Conference of COST Action MP1204 and the International Conference on Semiconductor Mid-IR and THZ Materials and Optics SMMO2016. /4./
Datum konání	21.03.2016 - 24.03.2016
Místo konání	Lisbon
Země	PT - Portugalsko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	PT - Portugalsko
Klíč. slova	MOVPE ; InAsSb ; quantum well ; Mid-IR ; impact ionization
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR
	GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR
	GP14-21285P GA ČR - Grantová agentura ČR
	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	AlSb/InAsSb/AlSb based heterostructures and nanostructures with quantum wells (QWs) grown on GaSb are promising materials for the optoelectronic devices for near- and mid-IR spectral regions. GaSb-based structures with a deep AlSb/InAsSb/AlSb QW were prepared. The impact ionization by the electrons heated at AlSb/QW interface was observed. Two-band superlinear electroluminescence with the highest intensity near 375 K occurs. Presented results for the light-emitting diodes with deep InAsSb QW pave the way for mid-IR devices operating in wide temperature range from –200 C up to +200°C.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2017

Počet záznamů: 1