Počet záznamů: 1

Microscopic characterization of graphene material and electronic quality across neighbouring, differently oriented copper grains

SYSNO ASEP	0434717
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Microscopic characterization of graphene material and electronic quality across neighbouring, differently oriented copper grains
Tvůrce(i)	Čermák, Jan (FZU-D)_{RID, SAI, ORCID} Yamada, T. (JP) Ganzerová, Kristína (FZU-D)_RID Rezek, Bohuslav (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	NANOCON 2014 Conference Proceedings. - Ostrava : Tanger Ltd, 2015 / Shrbená J. - ISBN 978-80-87294-53-6
Poč.str.	6 s.
Forma vydání	Nosič - C
Akce	International Conference NANOCON /6./
Datum konání	05.11.2014-07.11.2014
Místo konání	Brno
Země	CZ - Česká republika
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CZ - Česká republika
Klíč. slova	graphene ; chemical vapor deposition ; atomic force microscopy ; Raman spectroscopy ; electronic properties
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP	GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	000350636300128
EID SCOPUS	85005965375
Anotace	We study graphene grown across the boundary of three such grains having bright, medium, and dark color in reflection. Raman micro-spectroscopy proves presence of mostly a monoor bi-layer graphene on all the grains. Yet intensity of Raman 2D band is grain-dependent: highest at the darkest grain and lowest at the brightest one. Contrary, conductive atomic force microscopy detects the highest conductivity at the brightest grain and the lowest current at the darkest grain. This is attributed to dominant electrical current path through graphene and underlying oxide thickness of which also depends on the type of copper grain. We correlate and discuss the results with view to better understanding of graphene growth and electronic properties on large area copper substrates.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2020

Počet záznamů: 1